DonanımGaN Transistör Teknolojisinde Yeni Dönem: 4.000 Volt Dayanım Sınırı Aşıldı
EPFL araştırmacıları, galyum nitrat (GaN) tabanlı transistörlerde 4.000 Volt gerilime dayanabilen yeni bir mimari geliştirdi. Bu gelişme, elektrikli araçlar ve yapay zeka veri merkezleri için daha verimli güç sistemlerinin önünü açıyor.
1 ay önce2 dk okumadonanimhaber
